Kristali AGGSe(AgGaGe5Se12).

AgGaGe5Se12 je obetaven nov nelinearni optični kristal za polprevodniške laserje s frekvenčnim premikom 1 um v srednje infrardeče (2-12 mum) spektralno območje.


  • Toleranca dimenzij:(Š +/-0,1 mm) x (V +/-0,1 mm) x (D + 1 mm/-0,5 mm)
  • Čista zaslonka:> 90 % osrednjega območja
  • Ravnost:λ/8 pri 633 nm za T>=1 mm
  • Kakovost površine:Praskanje/kopanje 60-40 po nanosu
  • Vzporednost:boljši od 30 kotnih sekund
  • Pravokotnost:10 ločnih minut
  • Natančnost orientacije: <30''
  • Podrobnosti o izdelku

    Tehnični parametri

    Testno poročilo

    Seznam zalog

    AgGaGe5Se12 je obetaven nov nelinearni optični kristal za polprevodniške laserje s frekvenčnim premikom 1 um v srednje infrardeče (2-12 mum) spektralno območje.
    Zaradi višjega praga poškodb, večje dvolomnosti in pasovne vrzeli ter večje raznolikosti shem faznega ujemanja bi lahko AgGaGe5Se12 postal alternativa AgGaS2 in AgGaSe2, ki se pogosteje uporabljata v močnejših in specifičnih aplikacijah.

    Tehnične lastnosti

    Toleranca dimenzij (Š +/-0,1 mm) x (V +/-0,1 mm) x (D + 1 mm/-0,5 mm)
    Čista zaslonka > 90 % osrednjega območja
    Ravnost λ/8 pri 633 nm za T>=1 mm
    Kakovost površine Praskanje/kopanje 60-40 po nanosu
    Paralelizem boljši od 30 kotnih sekund
    Pravokotnost 10 ločnih minut
    Natančnost orientacije <30''

    Primerjajte s kristali AgGaS2, ZnGeP2, AgGaSe2, GaSe, lastnosti, prikazane na naslednji način:

    Kristalno Razpon prosojnosti Nelinearni koeficient
    AgGaS2 0,53-12 um d36=23,6
    ZnGeP2 0,75-12 um d36=75
    AgGaSe2 0,9-16 um d36=35
    AgGaGe5Se12 0,63-16 um d31=28
    GaSe 0,65-19 um d22=58

    20210122163152

    Model Izdelek Velikost Orientacija Površina Mount Količina
    DE0432-1 AGGSe 5*5*0,35 mm θ=65°φ=0° obojestransko polirano Odklopljeno 2